metalgate半導體

...極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...,2008年6月20日—事實上在Intel發表正式研發成功Highk/MetalGate技術前，半導體業界早已在...

參考資訊如下
28奈米製程

... 極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...

Low k、High k到底在幹嘛？ - ryanwu

2008年6月20日 — 事實上在Intel發表正式研發成功High k/Metal Gate技術前，半導體業界早已在討論High k技術，原本預測2007年此項技術就會開始盛行，不過此預測稍過樂觀， ...

TW201904063A

具有金屬閘極之半導體元件之製作方法. 本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high ...

五分鐘讓你看懂FinFET

2015年9月15日 — ... Gate）」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal ... 半導體（Semiconductor），因此稱為「MOS」。 MOSFET 的工作 ...

栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

2019年6月15日 — 上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日 — 隨著傳統的半導體尺寸微縮，電晶體的閘極長度（gate length）也逐漸減小。實際上，閘極長度和技術節點的數值是不相等的，且在22 奈米技術節點以後，閘極 ...

金屬門Metal Gate

第一個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是1959 年由Mohamed Atalla 和Dawon Kahng 在貝爾實驗室創建並於1960 年進行演示的。他們使用矽作為溝道材料，並使用非自對 ...

高介電係數閘極介層技術

... Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深. 次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵 ... △圖四Single Metal與Dual Metal Gate的能帶示意圖. Page 7. 第14 期電子與材料雜誌.